江苏鲁汶仪器有限公司于2015年9月，由比利时鲁汶仪器、中科院微电子研究所等共同注资成立。公司总部位于江苏省徐州市，在北京设有研发中心，在上海、广州、西安、成都、台湾省新竹、新加坡、韩国光州等地设有市场和技术服务中心。
【团队】公司拥有国际化的专家团队和苏北地区首家 诺贝尔奖得主工作室 。技术团队由诺贝尔奖获得者、三名国家级专家、多名国内外半导体领域知名教授、资深工程师、及高校科研院所的年轻技术骨干组成。
【核心技术】作为以创新为主导的全球性高科技半导体装备企业，鲁汶仪器以其国际化团队研发出全球领先的磁存储器刻蚀系统，为先进的集成电路制造生产线提供了MRAM刻蚀装备和工艺解决方案。
【愿景】成为半导体关键装备和解决方案的首选供应商。
【使命】面向半导体前沿技术需求，推动芯片制造技术改革，提供从装备研发、生产到技术支持的完整
服务体系。
【价值观】 求实、创新、责任、信赖、分享
【产品】公司主要产品为基于等离子体技术的12英寸和8英寸刻蚀和沉积设备，包括RIE， ICP， IBE以及PECVD和ICP-CVD。部分机台兼容4英寸到8英寸晶圆，适用于规模化产线和中试研发线等。LMEC平台刻蚀系统是公司的核心专利产品。该机台在同一个真空系统中集成了RIE刻蚀、IBE刻蚀和PECVD沉积等多个腔室，可以有效地刻蚀以金属材料为主要成分的磁隧道结，具有侧壁陡直、等离子体损伤小、刻蚀产率高等特点，为室温下难以形成挥发性刻蚀产物的材料提供了独特的刻蚀工艺解决方案，适用于磁存储器、磁传感器和其它以磁隧道结为基础的自旋电子学器件的生产和研发。金属刻蚀系统是面向8英寸集成电路晶圆制造的量产型设备，可提供优异的工艺质量和产能，适用于0.11um及以上技术代的铝互连工艺。气相分解金属沾污收集系统（VPD）是鲁汶仪器自主研发的核心产品之一，可应用于先进集成电路制造，大晶圆生产和回收，先导工艺研发等领域的金属沾污控制。
邳州经济开发区辽河西路8号（半导体材料与设备产业园）
